參數(shù)資料
型號(hào)： NGB15N41CLT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： NGB15N41CLT4
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Temperature
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS (continued)
(Note 3)
CollectortoEmitter OnVoltage
V
CE(on)
I
C
= 6.0 A,
= 4.0 V
V
GE
6 0 A
T
J
= 25
°
C
1.0
1.6
1.8
V
DC
T
J
= 150
°
C
0.9
1.5
1.8
T
J
= 40
°
C
1.1
1.65
1.9*
I
C
= 8.0 A,
= 4.0 V
V
GE
8 0 A
T
J
= 25
°
C
1.3
1.8
2.0*
T
J
= 150
°
C
1.2
1.7
1.9
T
J
= 40
°
C
1.4
1.8
2.0*
I
C
= 10 A,
= 4.0 V
V
GE
T
J
= 25
°
C
1.4
2.0
2.2
T
J
= 150
°
C
1.5
2.0
2.3*
T
J
= 40
°
C
1.4
2.0
2.2
I
C
= 10 A,
= 4.5 V
V
GE
T
J
= 25
°
C
1.3
1.9
2.1
T
J
= 150
°
C
1.3
1.9
2.1
T
J
= 40
°
C
1.4
1.95
2.1*
Forward Transconductance
gfs
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 6.0 A
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
8.0
15
25
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
ISS
V
CC
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1.0 MHz
25 V V
T
J
= 40
C to
150
°
C
°
400
650
1000
pF
Output Capacitance
C
OSS
30
55
100
Transfer Capacitance
C
RSS
3.0
4.5
8.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
TurnOff Delay Time (Inductive)
t
d(off)
V
= 300 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, L = 300 H
μ
H
T
J
= 25
°
C
4.0
10
Sec
μ
CC
C
T
J
= 150
°
C
4.5
10
Fall Time (Inductive)
t
V
= 300 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, L = 300 H
μ
H
T
J
= 25
°
C
6.0
12
)
f
CC
C
T
J
= 150
°
C
10
12
TurnOff Delay Time (Resistive)
t
d(off)
V
= 300 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, R
L
= 46
,
T
J
= 25
°
C
3.0
10
Sec
μ
CC
C
T
J
= 150
°
C
3.5
10
Fall Time (Resistive)
t
V
= 300 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, R
L
= 46
,
T
J
= 25
°
C
8.0
15
f
CC
C
T
J
= 150
°
C
12
15
TurnOn Delay Time
t
d(on)
V
= 10 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, R
L
= 1.5
1 5
T
J
= 25
°
C
0.7
4.0
Sec
μ
CC
C
T
J
= 150
°
C
0.7
4.0
Rise Time
t
V
= 10 V, I
= 6.5 A
1 0 k
R
G
= 1.0 k
, R
L
= 1.5
1 5
T
J
= 25
°
C
4.0
7.0
r
CC
C
T
J
= 150
°
C
5.0
7.0
3. Pulse Test: Pulse Width
*Maximum Value of Characteristic across Temperature Range.
300
μ
S, Duty Cycle
2%.
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PDF描述
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NGB18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
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