參數(shù)資料
型號(hào)： NGB15N41CLT4
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： NGB15N41CLT4
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
2
UNCLAMPED COLLECTORTOEMITTER AVALANCHE CHARACTERISTICS
(55
°
≤
T
J
≤
175
°
C)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Single Pulse CollectortoEmitter Avalanche Energy
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V, Pk I
L
= 16.6 A, L = 1.8 mH, Starting T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V, Pk I
L
= 15 A, L = 1.8 mH, Starting T
J
= 125
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
E
AS
250
200
mJ
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
1.4
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
DPAK (Note 1)
R
θ
JA
100
D
2
PAK (Note 1)
R
θ
JA
50
TO220
R
θ
JA
62.5
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8
″
from case for 5 seconds
T
L
275
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Temperature
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Clamp Voltage
CollectorEmitter Clam Voltage
BV
CES
I
C
= 2.0 mA
T
J
= 40 C to
150
°
C
380
410
440
V
DC
I
C
= 10 mA
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
380
410
440
Zero Gate Voltage Collector Current
I
CES
V
CE
= 350 V,
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
2.0
20
A
μ
DC
T
J
= 150
°
C
10
40*
T
J
= 40
°
C
1.0
10
Reverse CollectorEmitter Leakage Current
I
ECS
V
CE
= 24 V
T
J
= 25
°
C
0.7
2.0
mA
T
J
= 150
°
C
12
25*
T
J
= 40
°
C
0.1
1.0
Reverse CollectorEmitter Clamp Voltage
B
VCES(R)
I
C
= 75 mA
T
J
= 25
°
C
27
33
37
V
DC
T
J
= 150
°
C
30
36
40
T
J
= 40
°
C
25
31
35
GateEmitter Clamp Voltage
BV
GES
I
G
= 5.0 mA
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
11
13
15
V
DC
GateEmitter Leakage Current
I
GES
V
GE
= 10 V
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
384
640
1000
μ
A
DC
Gate Resistor (Optional)
R
G
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
70
Gate Emitter Resistor
R
GE
T
J
= 40
°
C to
150
°
C
10
16
26
k
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
Gate Threshold Voltage
V
GE(th)
I
C
= 1.0 mA,
V
GE
= V
CE
1 0
T
J
= 25
°
C
1.1
1.4
1.9
V
DC
T
J
= 150
°
C
0.75
1.0
1.4
T
J
= 40
°
C
1.2
1.6
2.1*
Threshold Temperature Coefficient
(Negative)
3.4
mV/
°
C
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended pad size.
2. Pulse Test: Pulse Width
300
μ
S, Duty Cycle
*Maximum Value of Characteristic across Temperature Range.
2%.
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PDF描述
NGD15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
NGD15N41CLT4 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
NGP15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V)
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參數(shù)描述
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NGB18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
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NGB18N40CLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGB18N40CLBT4 功能描述:馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器 18A 400V Ignition RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Stepper Motor Controllers / Drivers 類(lèi)型:2 Phase Stepper Motor Driver 工作電源電壓:8 V to 45 V 電源電流:0.5 mA 工作溫度:- 25 C to + 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:HTSSOP-28 封裝:Tube
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