參數(shù)資料
型號： NEZ7785-8DD
廠商： NEC Corp.
英文描述： 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 4W/8W C波段砷化鎵場效應(yīng)管N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/18頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： NEZ7785-8DD
5
4W/8W C-BAND Power-GaAs FET NEZ Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
P
T
0
110
T
C
- Case Temperature - C
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
P
in
- Input Power - dBm
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100 125 150 175 200
–8D/–8DD
–4D/–4DD
Infinite Heat sink
P
out
I
D
35
30
25
I
D
(A)
2
1
0
EFF
(%)
15
20
25
50
40
30
20
10
0
EFF
NEZ3642-4D
Test Conditions:
Freq = 3.9 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V), I
DS
= 0.8 (A),
P
out
: P
in
= 27.0 (dBm),
G
L
: P
in
= 20.0 (dBm),
R
g
= 200 (
)
Test Conditions:
Freq = 3.9 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V), I
DS
= 1.6 (A),
P
out
: P
in
= 31.0 (dBm),
G
L
: P
in
= 20.0 (dBm),
R
g
= 100 (
)
20
40
P
in
- Input Power - dBm
35
30
25
P
out
(dBm)
I
D
(A)
3
2
1
0
EFF
(%)
50
40
30
20
10
0
P
out
I
D
EFF
25
30
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
15
P
in
- Input Power - dBm
35
30
25
I
D
(A)
3
2
1
0
EFF
(%)
20
25
30
50
40
30
20
10
0
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
I
D
EFF
NEZ3642-8D/8DD
NEZ4450-4D/4DD
Test Conditions:
Freq = 4.7 (GHz), V
DS
= 10.0 (V),
I
D
= 0.80 A, R
g
= 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NEZ5258-4BD C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-15B C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-15BD C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-4B C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-4BD C-BAND POWER GAAS MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NEZ7785-8DL 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:7785-8DL
NEZ-8B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ-8BD 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZSK204Z3.3VH26.8X1.4F 制造商:NIC Components Corp 功能描述:
NEZVL224Z5.5V12.5X10.5F 制造商:NIC Components Corp 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*