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參數(shù)資料
| 型號： | NEZ7785-8DD |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 4W/8W C波段砷化鎵場效應管N溝道砷化鎵場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | NEZ7785-8DD |
4
4W/8W C-BAND POWER-GaAs FET NEZ Series
8W PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C, Z
S
= ZL = 50
)
P1dB
GL
IDS
GL
IM
3
η
add
TEST CONDITIONS
PART NUMBER
(dBm)
(dB)
(A)
(dB)
(dBc)
(%)
V
DS
I
DS
FREQUENCY IM
3
TEST
*1
*2
*3, 4
*4
(RF OFF)
BAND
FREQ.
MIN. TYP. MIN. TYP. TYP. MAX. MAX. TYP. MAX. TYP.
(V)
(A)
(GHz)
(GHz)
*5
NEZ3642-8D, 8DD 38.5
39.5
10.0
11.0
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
40
10
1.6
3.6 to 4.2
4.2
NEZ4450-8D, 8DD 38.5
39.5
9.5
10.5
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
37
10
1.6
4.4 to 5.0
5.0
NEZ5964-8D, 8DD 38.5
39.5
8.5
9.5
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
35
10
1.6
5.9 to 6.45
6.45
NEZ6472-8D, 8DD 38.5
39.5
7.5
8.5
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
32
10
1.6
6.4 to 7.2
7.2
NEZ7177-8D, 8DD 38.5
39.5
7.0
8.0
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
30
10
1.6
7.1 to 7.7
7.7
NEZ7785-8D, 8DD 38.5
39.5
6.5
7.5
2.4
3.0
1.0
– 45
– 42
30
10
1.6
7.7 to 8.5
8.5
Notes *1
Output power at 1dB gain compression point
*2
IDS values are specified at P1dB point.
*3
Gain flatness
*4
Applies to – 8DD option only
*5
IM
3
test conditions: f = 10 MHz, 2 tones test, P
O
= 29dBm (single carrier level)
MAXIMUM OPERATING LIMITS
Rg max.
(
)
V
DS
max.
(V)
100
10
Rg max is the maximum series resistance between the gate supply and the FET gate.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEZ5258-4BD | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-15B | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-15BD | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-4B | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-4BD | C-BAND POWER GAAS MESFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NEZ7785-8DL | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:7785-8DL |
| NEZ-8B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ-8BD | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZSK204Z3.3VH26.8X1.4F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述: |
| NEZVL224Z5.5V12.5X10.5F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述: |
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