- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄361115 > NEZ7785-8D (NEC Corp.) 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NEZ7785-8D |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 4W/8W C波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | NEZ7785-8D |
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9
4W/8W C-BAND Power-GaAs FET NEZ Series
Test Conditions:
Freq = 7.4 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V),
I
DS
= 1.6 (A)
P
out
: P
= 33.5 (dBm),
G
L
: P
= 23.0 (dBm),
R
g
= 100 (
)
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
20
P
in
- Input Power - dBm
35
30
25
I
D
(A)
3
2
1
0
EFF
(%)
25
30
I
D
EFF
P
out
Test Conditions:
Freq = 8.1 (GHz),
V
= 10.0 (V),
I
D
= 0.8 (A)
R
g
= 200 (
)
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
20
P
in
- Input Power - dBm
35
30
25
I
D
(A)
3
2
1
0
EFF
(%)
25
30
50
40
30
20
10
0
35
NEZ7177-8D/8DD
I
D
EFF
P
out
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
20
P
in
- Input Power - dBm
40
35
30
I
D
(A)
3
2
1
0
EFF
(%)
25
30
50
40
30
20
10
0
25
35
Test Conditions:
Freq = 8.1 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V),
I
D
= 1.6 (A)
R
g
= 100 (
)
50
40
30
20
10
0
40
P
out
I
D
EFF
NEZ7785-4D/4DD
NEZ7785-8D/8DD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEZ7785-8DD | 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ5258-4BD | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-15B | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-15BD | C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ3742-4B | C-BAND POWER GAAS MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NEZ7785-8DD | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ7785-8DL | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:7785-8DL |
| NEZ-8B | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ-8BD | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZSK204Z3.3VH26.8X1.4F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述: |
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