參數(shù)資料
型號： NEZ7785-8D
廠商： NEC Corp.
英文描述： 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 4W/8W C波段砷化鎵場效應(yīng)管N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大小： 108K
代理商： NEZ7785-8D
2
4W/8W C-BAND POWER-GaAs FET NEZ Series
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATINGS
UNIT
NEZ-4D, 4DD
NEZ-8D, 8DD
Drain to Source Voltage
V
DS
15
15
V
Gate to Source Voltage
V
GS
– 12
–12
V
Gate to Drain Voltage
V
GD
– 18
– 18
V
Drain Current
I
D
4.5
9.0
A
Gate Current
I
G
25
50
mA
Total Power Dissipation
P
T
*
25
50
W
Channel Temperature
Tch
175
175
C
Storage Temperature
T
stg
– 65 to + 175
– 65 to + 175
C
*
T
C
= 25 C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Part No.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Saturated Drain Current
I
DSS
NEZ-4D
1.0
2.3
3.5
A
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
NEZ-8D, 8DD
2.0
4.5
7.0
Pinch-off Voltage
V
P
NEZ-4D, 4DD
– 3.5
– 2.0
– 0.5
V
V
DS
= 2.5 V, I
DS
= 15 mA
NEZ-8D, 8DD
– 3.5
– 2.0
– 0.5
V
DS
= 2.5 V, I
DS
= 30 mA
Trans-Conductance
g
m
NEZ-4D, 4DD
—
1300
—
mS
V
DS
= 2.5 V, I
DS
= 1 A
NEZ-8D, 8DD
—
2600
—
V
DS
= 2.5 V, I
DS
= 2 A
Gate to Drain Voltage
B
VGD0
NEZ-4D, 4DD
20
22
—
V
I
GD
= 15 mA
NEZ-8D, 8DD
20
22
—
I
GD
= 30 mA
Thermal Resistance
R
th
NEZ-4D, 4DD
—
5.0
6.0
C/W
Channel to Case
NEZ-8D, 8DD
—
2.5
3.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NEZ7785-8DD 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NEZ5258-4BD C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-15B C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-15BD C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3742-4B C-BAND POWER GAAS MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NEZ7785-8DD 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NEZ7785-8DL 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:7785-8DL
NEZ-8B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ-8BD 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZSK204Z3.3VH26.8X1.4F 制造商:NIC Components Corp 功能描述:
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