參數(shù)資料
型號： NESG2030M04
廠商： NEC Corp.
英文描述： NONLINEAR MODEL
中文描述： 非線性模型
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： NESG2030M04
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
NESG2030M04
Collector Current, I
C
(mA)
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, l
C
(mA)
N
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
= 2 V
f = 3 GHz
G
a
NF
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
= 2 V
f = 4 GHz
G
a
NF
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
= 2 V
f = 5 GHz
G
a
NF
A
A
A
A
A
A
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, l
C
(mA)
N
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
G
a
NF
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
= 2 V
f = 2.5 GHz
G
a
NF
A
A
A
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NESG2030M04-T2 NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NESG2031M05 NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
NESG2031M05-T1 NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
NESG204619 NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG204619-A NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NESG2030M04-A 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NESG2030M04-EVNF16 功能描述:射頻硅鍺晶體管 For NESG2030M04 1.6G RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NESG2030M04-EVNF19 功能描述:EVAL BOARD FOR NESG2030 1.9GHZ RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評估和開發(fā)套件，板 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
NESG2030M04-EVNF24 功能描述:EVAL BOARD FOR NESG2030 G5122.4G RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評估和開發(fā)套件，板 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
NESG2030M04-T2 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 2.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 2.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*