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參數(shù)資料
| 型號： | NE960R500 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| 中文描述： | 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | NE960R500 |
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
7
NE960R2 SERIES
PACKAGE DIMENSIONS
PACKAGE CODE-75 (Unit: mm)
1.8
2.7
7.0
9.8 MAX.
0
0.5
Gate
2
1
2
2
3
3
φ
Drain
PHYSICAL DIMENSIONS
NE960R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
NE961R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
Source is grounded through via hole.
: 100 m
: Gate
: Drain
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
: 140 m
: Gate
: Drain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE960R575 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R2 | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R275 | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R5 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE960R575 | 功能描述:MOSFET X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE960R575_01 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET |
| NE961R200 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE962R575 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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