參數(shù)資料
型號(hào): NE960R500
廠商: NEC Corp.
英文描述: 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述: 0.5蠟質(zhì),Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商: NE960R500
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
3
NE960R2 SERIES
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
30
25
20
15
10
60
45
30
15
0
5
10
15
f = 14.5 GHz (1 tone),
V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
R
g
= 1 k
20
25
OUTPUT POWER AND POWER ADDED EFFICIENCY vs. INPUT POWER
η
O
o
P
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
200
150
100
50
0
14
12
10
8
6
DRAIN CURRENT AND GAIN vs. INPUT POWER
Input Power P
in
(dBm)
GATE CURRENT vs. INPUT POWER
Input Power P
in
(dBm)
Input Power P
in
(dBm)
D
D
G
1.5
1.0
0.5
0.0
–0.5
G
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE960R575 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R2 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R275 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R5 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE960R575 功能描述:MOSFET X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE960R575_01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET
NE961R200 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R500 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE962R575 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET