參數(shù)資料
型號(hào)： NE94430
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管振蕩器和混合機(jī)
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： NE94430
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
F
TYPICAL DEVICE CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
T
J
Junction Temperature
NE94432, NE94433
NE94430
T
STG
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
RATINGS
30
15
3.0
50
°
C
°
C
°
C
125
150
-55 to +125
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
G
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
T
T
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
NE944 SERIES
0 25 50 75 100 125 150
300
250
200
150
100
50
0
NE94430
NE94433
FREE AIR
FREE AIR
0.5 1 5 10 50
200
100
92
10
20
50
V
CE
= 10 V
V
CE
= 3 V
3
2
1
0.7
0.3
0.2
0.1
5
0.5
0.5 0.7
2
3
5
7 10
20
30
50
1
V
CE
= -5 V
f = 1.0 MHz
1 2 3 5 7 10 20 30
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE94430-T2 NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94433 NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94433-T1B NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE960R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE94430-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94430-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor
NE94430-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94430-T2 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94430-T44-A 功能描述:射頻混合器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*