參數(shù)資料
型號： NE94430-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管振蕩器和混合機
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 58K
代理商： NE94430-T2
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 2.5 mA
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 2.5 mA)
NE94430
FREQUENCY
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
K
S
21
(dB)
12.2
11.8
11.1
10.3
9.4
8.3
7.1
6.1
5.1
4.2
3.5
0.6
-1.4
-3.0
-4.2
MAG
1
(dB)
23.8
21.1
18.7
17.4
16.3
15.4
12.8
11.3
10.1
9.1
8.2
5.4
3.7
2.1
0.8
MAG
.929
.854
.735
.608
.498
.423
.382
.355
.338
.327
.318
.308
.315
.340
.379
ANG
-13.0
-24.4
-50.1
-74.2
-96.3
-113.8
-126.3
-136.7
-145.4
-152.6
-159.5
172.6
148.6
125.9
105.4
MAG
4.051
3.892
3.591
3.285
2.956
2.607
2.273
2.013
1.803
1.630
1.490
1.071
0.851
0.710
0.614
ANG
160.3
148.7
129.9
114.9
102.1
92.2
84.7
78.4
72.9
68.0
63.5
45.4
31.3
21.1
14.8
MAG
.017
.030
.049
.060
.069
.076
.084
.091
.099
.107
.115
.157
.201
.257
.326
ANG
89.3
66.4
56.9
53.8
52.3
52.4
53.1
54.1
54.6
55.3
56.0
58.2
58.7
58.2
55.2
MAG
.977
.936
.843
.788
.756
.738
.728
.721
.717
.713
.710
.704
.702
.691
.670
ANG
-6.0
-10.9
-16.2
-18.4
-19.9
-21.8
-23.7
-25.7
-28.0
-30.2
-32.6
-43.9
-56.4
-69.1
-82.8
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
2500
3000
0.10
0.47
0.65
0.78
0.89
0.99
1.06
1.13
1.17
1.21
1.22
1.25
1.20
1.14
1.11
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
2500
3000
.819
.740
.511
.414
.354
.326
.313
.306
.303
.302
.303 -173.3
.316
.333
.361
.401
-19.8
-38.0
-76.6
-106.3
-125.6
-138.4
-147.8
-155.6
-162.1
-167.8
7.561
6.980
5.906
4.762
3.819
3.152
2.671
2.318
2.050
1.839
1.669
1.169
0.914
0.751
0.642
154.4
138.9
117.4
101.6
91.5
84.3
78.4
73.3
68.7
64.4
60.4
43.8
30.2
20.2
13.9
.014
.025
.037
.046
.052
.064
.072
.081
.089
.098
.106
.151
.198
.259
.332
88.3
63.8
59.4
58.2
59.9
60.3
61.7
62.4
62.7
63.2
63.5
64.6
64.3
62.8
58.7
.946
.874
.771
.732
.713
.705
.701
.699
.697
.696
.695
.696
.699
.691
.672
-8.5
-13.2
-15.6
-16.4
-17.5
-19.2
-21.1
-23.2
-25.4
-27.7
-30.1
-41.4
-53.8
-66.3
-79.9
0.20
0.57
0.77
0.92
1.07
1.09
1.15
1.18
1.21
1.22
1.24
1.19
1.12
1.05
1.02
17.6
16.9
15.4
13.6
11.6
10.0
8.5
7.3
6.2
5.3
4.4
1.4
-0.8
-2.5
-3.8
27.3
24.5
22.0
20.2
17.0
15.1
13.3
12.0
10.8
9.9
9.0
6.3
4.6
3.3
2.0
163.0
141.1
119.9
100.9
V
CE
= 3 V, I
CE
= 5 mA
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
NE944 SERIES
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
22
.05 GHz
10
25
50
100
S
22
3 GHz
S
11
.05 GHz
S
11
3 GHz
120
90
5
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
.5
4
3
.4
.3
S
21
0.5 GHz
S
12
3 GHz
S
21
3 GHz
2
S
12
0.5 GHz
1
.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE94433 NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94433-T1B NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE960R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE94430-T44-A 功能描述:射頻混合器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
NE94432 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
NE94433 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Oscillator/Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94433-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94433-T1B 功能描述:TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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