參數(shù)資料
型號(hào)： NE94430-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管振蕩器和混合機(jī)
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： NE94430-T2
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
F
TYPICAL DEVICE CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
T
J
Junction Temperature
NE94432, NE94433
NE94430
T
STG
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
RATINGS
30
15
3.0
50
°
C
°
C
°
C
125
150
-55 to +125
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
G
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
T
T
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
NE944 SERIES
0 25 50 75 100 125 150
300
250
200
150
100
50
0
NE94430
NE94433
FREE AIR
FREE AIR
0.5 1 5 10 50
200
100
92
10
20
50
V
CE
= 10 V
V
CE
= 3 V
3
2
1
0.7
0.3
0.2
0.1
5
0.5
0.5 0.7
2
3
5
7 10
20
30
50
1
V
CE
= -5 V
f = 1.0 MHz
1 2 3 5 7 10 20 30
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE94433 NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94433-T1B NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE960R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE94430-T44-A 功能描述:射頻混合器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
NE94432 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
NE94433 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Oscillator/Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94433-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE94433-T1B 功能描述:TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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