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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE856M02-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NE856M02-T1 |
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm
2
X 1.2 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T2
T
J
T
STG
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
RATINGS
20
12
3
100
140
150
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters
4590 Patrick Henry Drive
Santa Clara, CA 95054-1817
(408) 988-3500
Telex 34-6393
FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
2/09/2000
NE856M13
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
FORWARD CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 10 V
1 2 3 5 7 10 20 30 50
500
300
200
100
70
50
30
20
10
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
100
20
40
60
80
0
2
4
8
10
12
6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE856M23 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE856M02 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| NE894M13 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE944 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE856M02-T1-AZ | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE856M03 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE856M03-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE856M03-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE856M03-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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