- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363250 > NE85002 (NEC Corp.) 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NE85002 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 2瓦C波段砷化鎵場效應管N溝道砷化鎵場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | NE85002 |
NE85002 SERIES
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Total Power Disipation(*)
Drain Current
Gate Current
Channel Temperature
Storage Temperature
V
DSX
V
GSX
V
GDX
P
T
I
D
I
G
T
ch
T
stg
15
–12
–18
13
2.5
13
175
V
V
V
W
A
mA
C
C
*T
C
= 25 C
–65 to 175
RECOMMENDING OPERATION RANDGE
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DS
9
–
10
V
Channel Temperature
T
ch
–
–
130
C
Input Power
Gcomp
–
–
3
dBcomp
Gate Resistance
Rg
–
–
2
k
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Saturated Drain Current
Idss
950
–
1900
mA
Vds = 2.5 V, Vgs = 0 V
Pinch-off Voltage
V
P
–3.0
–
–1.0
V
Vds = 2.5 V, Ids = 8 mA
Transconductance
gm
–
600
–
mS
Vds = 2.5 V, Ids = Idss
Thermal Resistance
R
th
–
10
15
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE8500200 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200-RG | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-6 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-8 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE85002_02 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE8500200 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200-RG | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200-WB | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。