參數(shù)資料
型號： NE8500295-6
廠商： NEC Corp.
英文描述： 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 2瓦C波段砷化鎵場效應管N溝道砷化鎵場效應晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： NE8500295-6
NE85002 SERIES
5
NE8500295-8
V
DS
= 10 V, I
DS
= 450 mA, V
GS
= –1.386 V, I
G
= 0.0 mA, R
G
= 1 k
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
0.100
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
3.600
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3.800
3.900
4.000
4.200
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4.500
4.600
4.800
5.000
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7.500
7.600
7.800
8.000
8.200
8.400
8.500
8.600
8.800
9.000
9.200
9.400
9.500
9.600
9.800
10.000
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0.887
0.886
0.877
0.876
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0.866
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0.821
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–146.3
–174.0
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128.9
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116.7
113.9
111.6
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98.8
91.8
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80.2
76.1
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57.4
45.8
31.5
23.5
13.6
–26.8
–152.8
–179.6
164.3
158.7
151.2
139.2
126.7
113.4
98.5
91.0
81.8
63.6
45.2
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12.6
17.977
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3.391
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20.8
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20.2
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0.605
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136.6
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132.3
129.0
125.7
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102.2
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76.1
67.1
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54.6
53.4
51.7
49.9
47.3
46.8
3.8
–4.1
–19.2
–34.5
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PDF描述
NE8500295-8 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE851M13 NE851M13
NE851M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE851M13-T3 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE856M13 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE8500295-8 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE850R599A 功能描述:射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE851M03 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE851M03-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE851M03-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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