參數(shù)資料
型號(hào)： NE851M13-T3
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NECs NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 17K
代理商： NE851M13-T3
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
137e-18
166
0.9871
20.4
50
80.4e-15
2.4
28.7
0.9889
2.7
0.021
532e-18
1.28
0.45
4
1
0
1.7
2.4e-12
0.87
0.34
0.65e-12
0.52
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.14
0.5
0
0.75
0
0.55
15e-12
0.1
2
0.03
0
1.0e-9
1.11
0
3
170e-15
1.65
(1) Gummel-Poon Model
SCHEMATIC
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
NE851M13
0.01 pF
0.25 pF
0.25 nH
0.45 nH
0.05 pF
0.05 pF
0.05 nH
0.05 nH
0.05 nH
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL TEST CONDITIONS
Frequency:
0.1 to 5.0 GHz
Bias:
V
CE
= 1 V to 4 V, I
C
= 1 mA to 40 mA
Date:
09/2001
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
NONLINEAR MODEL
NE851M13
California Eastern Laboratories
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
NEC
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
Internet: http://WWW.CEL.COM
11/29/2001
Base
Emitter
Collector
L
BPKG
0.05 nH
L
B
0.25 nH
L
EPKG
0.05 nH
L
E
0.45 nH
L
CPKG
0.05 nH
C
CBPKG
0.05 pF
C
CB
0.01 pF
C
CE
0.25 pF
C
CEPKG
0.05 pF
Q
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE851M33 制造商:CEL 制造商全稱(chēng):CEL 功能描述:NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE851M33-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE851M33-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE856 制造商:CEL 制造商全稱(chēng):CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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