型號(hào): | NE851M13 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NE851M13 |
中文描述: | NE851M13 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 17K |
代理商: | NE851M13 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE851M13 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
NE851M13-T3 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
NE856M13 | NPN SILICON TRANSISTOR |
NE856 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
NE85600 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE851M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
NE851M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 5.5V 0.1A 3-Pin LeadLess Mini-Mold T/R |
NE851M13-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
NE851M33 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
NE851M33-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |