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參數(shù)資料
| 型號： | NE8500200 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 2瓦C波段砷化鎵場效應(yīng)管N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | NE8500200 |
NE85002 SERIES
3
PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C)
PART NUMBER
PACKAGE CODE
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Output Power
P
O
Gate to source
Current
Igs
Linear Gain
G
L
*
Test frequencies are: NE8500200 @8.5 GHz, NE8500295-4 @4.2 GHz, NE8500295-6 @6.5 GHz, NE8500295-8 @8.5 GHz
**
Test input power are: NE8500200 @27.0 dBm, NE8500295-4 @24.5 dBm, NE8500295-6 @25.5 dBm, NE8500295-8 @27.0dBm
***
The conditions are the same as the above except this.
TYPICAL PERFORMANCE CURVE (T
A
= 25 C)
POWER DERATING CURVE
P
T
0
12
T
C
- Case Temperature - C
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
O
0
40
P
IN
- Input Power - dBm
8
4
0
50
100
150
200
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
6
8
4
NE8500200
NE8500200-WB
NE8500200-RG
CHIP
MIN. TYP. MAX.
33.8
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–2.4
–
2.4
–
–
–
8.0
–
–
N8500295-4
95
MIN. TYP. MAX.
–
–
–
33.8
–
–
–
–
–
–
–
–
–2.4
–
2.4
–
–
–
10.5
–
–
NE8500295-6
95
MIN. TYP. MAX.
–
–
–
–
–
–
33.8
–
–
–
–
–
–
–
–
–2.4
–
2.4
9.5
–
–
NE8500295-8
95
MIN. TYP. MAX.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
33.5
–
–
–
–
–
–2.4
–
2.4
8.0
–
–
UNIT
dBm
dBm
dBm
dBm
mA
μ
A
dB
TEST CONDITIONS
Pin = 18 dBm (
***
)
Vds = 10 V
Ids = 450 mA set
Rg = 1k
f(
*
)
pin(
**
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE8500200-RG | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-6 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-8 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE851M13 | NE851M13 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE8500200-RG | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200-WB | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-6 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-8 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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