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參數(shù)資料
| 型號： | NE8500200-RG |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 2瓦C波段砷化鎵場效應(yīng)管N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | NE8500200-RG |
NE85002 SERIES
7
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-6 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-8 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE851M13 | NE851M13 |
| NE851M13 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE8500200-WB | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-6 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-8 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE850R599A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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