參數(shù)資料
型號(hào)： NE73430-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管一般用途
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： NE73430-T1
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
NE734 SERIES
PACKAGE OUTLINE 35
(MICRO-X)
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
3.8 MIN
ALL LEADS
0.5
±
0.06
C
45
2.55
±
0.2
φ
2.1
0.55
1.8 MAX
+0.06
-0.04
0.1
E
B
E
PACKAGE OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
1. Emitter
2. Base
3. Collector
OUTLINE 30
(SOT-323)
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
￥
Headquarters
￥
4590 Patrick Henry Drive
￥
Santa Clara, CA 95054-1817
￥
(408) 988-3500
￥
Telex 34-6393
￥
FAX (408) 988-02
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
￥
Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
06/21/2001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE73435 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE76000 LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76000L LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76084 C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-SL C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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參數(shù)描述
NE73432 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | TO-92
NE73432B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-92
NE73432E 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-92
NE73433 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-236
NE73435 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 REORD 551-NE94430 MICRO-X NPN GP SW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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