型號: | NE721S01 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
中文描述: | 一般目的L至X波段GaAs MESFET器件 |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 32K |
代理商: | NE721S01 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
NE721S01-T1 | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
NE721S01-T1B | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
NE76038 | LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
NE76038-T1 | LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
NE76084S | LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
NE721S01-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
NE721S01-T1B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
NE72218 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 RO 551-NE34018 5/04 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE72218-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
NE72218-T2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |