參數資料
型號： NE721S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET
中文描述： 一般目的L至X波段GaAs MESFET器件
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： NE721S01
NE721S01
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Ambient Temperature, T
A (
°
C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Drain to Source Voltage, V
DS
(V)
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage, V
GS
(V)
T
T
D
D
(
D
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
DS
V
GDO
V
GSO
I
DS
T
CH
T
STG
P
T
Drain to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Channel Temperature
Storage Temperature
Total Power Dissipation
V
V
V
5
-6
-6
mA
°
C
°
C
mW
I
DSS
125
-65 to +125
250
100
200
300
400
500
0
50
100
150
200
250
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 0 V
V
GS
= -0.5 V
V
GS
= -1.0 V
80
60
40
20
0
-4.0
-2.0
0
V
DS
= 3 V
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
Offset Frequency, kHz
B
BASE BAND 1/f NOISE vs.
OFFSET FREQUENCY
-90
-100
-110
-130
-140
-150
-160
-80
-120
0.1
1
10
100
V
DS
= 3 V,
I
DS
= 30 mA
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PDF描述
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