參數(shù)資料
型號(hào)： NE71300-L
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： NE71300-L
3
NE713
CHIP DIMENSIONS (Unit:
μ
m) [NE71300]
64
123
76
450
60
4
5
1
4
52
44
56
57
48
18
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
7
6
1
1
Thickness = 140
μ
m
: BONDING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE71300-M L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300-N L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE71300M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71383B 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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