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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE699M01-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管的微波高增益放大 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | NE699M01-T1 |
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25C)
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2 V, IC = 7 mA
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
1.25
1.35
1.46
1.55
1.70
1.86
2.30
2.75
23.0
19.7
17.0
14.3
12.0
9.8
9.2
8.2
0.40
0.32
0.27
0.22
0.18
0.17
0.30
0.60
27
50
70
93
130
160
-150
-111
0.25
0.34
0.22
0.21
0.17
0.12
0.08
0.28
0.2
0
-0.2
-0.5
-1
-2
2
5
-5
∞
5 GHz
500 MHz
Γ
OPT
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
-3
3
1
0.5
2.5
2
1.5
1
3
0.5
0
0.5
1
2
2.5
3
1.5
3.5
4
4.5
5
F
MIN
dB
2 V, 7 mA
TYPICAL CONSTANT NOISE FIGURE
MINIMUM NOISE FIGURE
vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
M
M
2 V, 7 mA
NE699M01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE710 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71000 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-06 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-07 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-08 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE7 | 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:TC 類型:C-夾 開(kāi)口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm） 安裝類型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑 |
| NE-7 | 制造商:Richco 功能描述: |
| NE710 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71-0.2 | 制造商:SIPAT 制造商全稱:SIPAT 功能描述:GSM Repeater |
| NE71000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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