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參數(shù)資料
| 型號： | NE699M01-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管的微波高增益放大 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | NE699M01-T1 |
NE699M01
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector Current, Ic (mA)
Collector Current, Ic (mA)
I
S
2
|
2
(
Collector Current, Ic (mA)
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
N
G
T
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. Ic CHARACTERISTICS
INSERTION POWER GAIN
vs. I
C
CHARACTERISTICS
FEEDBACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
NOISE FIGURE vs.
Ic CHARACTERISTICS
R
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
4
3
2
1
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
0.3
0.4
0.5
0.2
0.1
0
1
10
100
f = 1 MHz
Frequency, f (GHz)
I
S
2
|
2
INSERTION POWER GAIN vs.
FREQUENCY CHARACTERISTICS
V
CE
= 2 V
0.1
40
30
20
10
0
0.5
1.0
2.0 2.6
Ic = 20 mA
Ic = 3 mA
20
10
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE710 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71000 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-06 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-07 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71083-08 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE7 | 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標準包裝:100 系列:TC 類型:C-夾 開口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm） 安裝類型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑 |
| NE-7 | 制造商:Richco 功能描述: |
| NE710 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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| NE71000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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