參數(shù)資料
型號(hào)： NE688M13
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/19頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： NE688M13
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE688 SERIES
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
MAG
0.977
0.880
0.749
0.710
0.670
0.667
0.669
0.663
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-171.700
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0.595
0.545
ANG
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0.282
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ANG
MAG
0.989
0.883
0.745
0.706
0.654
0.641
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0.624
ANG
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(dB)
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19.000
7.800
11.100
39.600
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0.101
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0.457
0.549
0.777
1.079
1.352
1.179
14.545
8.730
6.286
5.662
5.239
4.012
2.162
0.998
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
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2.0
2.5
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0.562
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V
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C
= 3.0 mA
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V
CE
= 3.0 V, I
C
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1.035
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16.296
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6.882
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3.086
NE68830
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
3
2
1
S
22
0.1 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
5 GHz
S
11
5 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
1
.25
.50
S
12
0.1 GHz
S
12
5 GHz
S
21
5 GHz
S
21
0.1 GHz
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE688M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68939 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE688M23 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
NE68939 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Low Voltage RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68939-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Low Voltage RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68939-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.15A 4-Pin Mini-Mold T/R
NE68939-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Low Voltage RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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