參數(shù)資料
型號(hào)： NE68839R-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/19頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： NE68839R-T1
SYMBOLS
V
CBO
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
UNITS
V
RATINGS
9
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Operating Junction
Temperature
Storage Temperature
V
V
6
2.0
100
mA
°
C
°
C
150
T
STG
-65 to +150
NE688 SERIES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
200
100
0
50
100
150
Free Air
0
Free Air
150
100
50
0
0
50
100
150
NE68818, NE68830
D.C. POWER DERATING CURVE
NE68819
D.C. POWER DERATING CURVE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
T
T
Free Air
200
100
0
0
50
100
150
30
25
20
15
10
5
0
0
2.5
5
7
200
μ
A
180
μ
A
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
I
B
= 20
μ
A
NE68833, NE68839
D.C. POWER DERATING CURVE
T
T
T
T
(
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
C
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE68839-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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NE688M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Low Noise RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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