參數資料
型號： NE68833-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數： 8/19頁
文件大小： 231K
代理商： NE68833-T1
NE68833
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
0.1
0.4
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1.101
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5.168
3.092
1.649
0.525
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 3.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.877
0.607
0.462
0.437
0.423
0.437
0.461
0.481
0.523
0.571
-28.400
-94.900
-141.800
-157.700
173.800
152.600
136.300
121.800
98.200
78.400
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5.850
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2.859
2.032
1.616
1.361
1.197
1.005
0.882
157.900
113.900
87.200
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61.200
47.500
35.700
26.300
10.500
-2.600
0.048
0.122
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0.299
0.356
0.473
0.566
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46.800
40.500
40.900
43.700
45.300
44.700
42.000
32.300
19.400
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0.237
0.250
0.294
0.349
-19.300
-53.600
-70.400
-75.500
-87.200
-100.400
-115.600
-131.300
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16.808
13.518
12.361
8.987
6.461
5.066
4.151
3.273
1.927
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE688 SERIES
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
3
2
1
S
22
0.1 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
5 GHz
S
11
5 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
1
.25
.50
S
12
0.1 GHz
S
21
5 GHz
S
21
0.1 GHz
S
12
5 GHz
V
CE
= 3.0 V, I
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= 3.0 mA
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0.8
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2.5
3.0
4.0
5.0
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0.533
-23.800
-83.800
-129.900
-146.800
-178.400
158.300
140.300
125.000
100.300
79.800
9.321
6.328
3.868
3.204
2.277
1.797
1.507
1.315
1.087
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160.400
118.600
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-0.100
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44.900
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50.800
48.500
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26.400
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0.454
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0.293
0.310
0.342
-15.000
-42.700
-55.000
-58.200
-65.900
-75.600
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1.009
0.945
0.939
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17.927
14.636
13.473
10.300
7.588
6.192
5.474
3.840
2.297
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PDF描述
NE68839-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688M13 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M23 NPN SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
NE68833-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143R
NE68839R-T1 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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