參數(shù)資料
型號： NE68833-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： NE68833-T1
NE688 SERIES
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.538
0.385
0.358
0.352
0.345
0.335
0.334
0.334
0.396
0.483
-68.800
-146.900
-179.500
170.400
152.000
137.400
124.900
112.100
83.800
50.200
32.261
11.973
6.233
5.038
3.447
2.649
2.189
1.904
1.544
1.294
136.000
94.900
76.200
69.100
53.400
39.400
25.600
12.300
-13.400
-38.000
0.023
0.053
0.090
0.109
0.157
0.206
0.255
0.302
0.390
0.453
64.800
57.300
57.600
56.000
49.400
41.200
32.000
22.000
0.900
-20.200
0.741
0.302
0.191
0.169
0.139
0.120
0.101
0.081
0.100
0.236
-42.000
-81.000
-94.800
-98.300
-102.200
-104.900
-108.700
-124.300
147.600
112.500
0.322
0.818
0.984
1.014
1.040
1.048
1.041
1.036
1.012
0.997
31.469
23.539
18.405
15.931
12.192
9.756
8.090
6.829
5.314
4.558
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68819
V
CE
= 3.0 V, I
C
= 20 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 10 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.717
0.466
0.383
0.371
0.356
0.349
0.346
0.349
0.403
0.485
-44.700
-119.600
-161.000
-173.600
163.800
146.600
131.700
118.200
87.800
53.100
22.801
10.924
5.912
4.804
3.304
2.545
2.110
1.842
1.503
1.262
147.800
103.000
80.300
72.300
55.300
40.600
26.300
12.700
-13.400
-38.900
0.029
0.063
0.093
0.108
0.149
0.192
0.237
0.282
0.369
0.437
68.600
49.200
48.100
47.600
43.800
37.800
30.200
21.500
1.900
-18.800
0.867
0.442
0.279
0.246
0.206
0.183
0.163
0.140
0.113
0.229
-28.800
-67.400
-81.500
-84.900
-89.800
-94.100
-99.400
-111.400
-179.400
127.200
0.210
0.609
0.886
0.954
1.029
1.055
1.055
1.045
1.015
0.992
28.956
22.390
18.033
16.482
12.415
9.785
8.057
6.851
5.349
4.606
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68839-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688M13 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M23 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68833-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68839R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143R
NE68839R-T1 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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