參數(shù)資料
型號(hào)： NE68739-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/21頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商： NE68739-T1
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
D.C. CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
NE68718
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
NE68730
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
I
2
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
NE68718
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
NE68733
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
N
G
T
F
R
(
f = 2 GHz
2 V
V
CE
= 1 V
14
12
10
8
4
6
1
2
5
10
20
30
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
4
3
2
1
0
2
1
5
10
20
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50
100
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
f = 1 MHz
V
CE
= 2V
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
C
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
16
14
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
30
100
50
NE687 SERIES
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PDF描述
NE6873939R SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68739R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE687M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68819 NONLINEAR MODEL
NE699M01 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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參數(shù)描述
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