參數(shù)資料
型號： NE68739-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： NE68739-T1
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
20.0
mA
1.10
1.19
1.25
1.36
1.50
17.66
14.48
12.93
9.61
7.52
0.47
0.39
0.34
0.29
0.24
15
33
45
57
73
0.28
1.20
0.28
0.27
0.27
1.10
1.19
1.25
1.36
1.50
18.60
15.10
13.40
10.30
8.10
0.40
0.35
0.31
0.26
0.23
12
24
33
44
58
0.30
0.22
0.26
0.28
0.28
500
800
1000
1500
2000
2500
2.00
2.06
2.10
2.20
2.34
2.46
20.30
16.70
15.00
11.90
9.80
6.70
0.02
0.06
0.08
0.12
0.14
0.18
-170
171
172
178
-175
-160
0.23
0.15
0.28
0.24
0.24
0.23
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
5
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Operating Junction
Temperature
V
V
3
2
30
mA
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
NE687 SERIES
NE68730
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(TA = 25
C)
NE68739
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
1.23
1.37
1.45
15.7
10.9
8.7
0.77
0.71
0.60
36
46
64
0.61
0.61
0.50
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0
mA
1.07
1.13
1.18
1.30
1.50
1.66
18.0
14.8
13.2
10.5
8.0
7.0
0.48
0.39
0.32
0.23
0.12
0.16
30
49
60
76
120
-172
0.31
0.28
0.26
0.24
0.20
0.15
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
20.0
mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.07
1.13
1.18
1.30
1.50
1.66
1.86
18.6
15.5
14.0
11.2
9.3
7.8
6.6
0.46
0.37
0.32
0.20
0.12
0.14
0.23
26
38
46
66
113
177
-157
0.28
0.28
0.26
0.25
0.19
0.17
0.10
1.93
1.95
2.00
2.15
2.30
2.40
2.52
21.2
17.6
16.0
12.9
10.6
9.0
7.7
0.08
0.14
0.16
0.21
0.26
0.31
0.46
-150
-138
-134
-127
-123
-121
-114
0.22
0.17
0.17
0.24
0.25
0.25
0.24
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0 V
,
I
C =
1.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3 mA
1.10
1.31
1.41
13.07
11.23
9.36
0.72
0.67
0.65
30
54
67
1.00
0.65
0.55
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68718
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
0.93
1.08
1.20
1.48
1.72
16.53
13.44
12.21
8.53
6.50
0.63
0.59
0.55
0.46
0.37
27
47
62
83
107
0.56
0.39
0.36
0.34
0.28
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2
V
,
I
C =
3 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.10
1.15
1.20
1.38
1.60
1.82
2.00
18.68
15.74
13.90
10.63
8.43
7.04
5.84
0.48
0.40
0.36
0.28
0.21
0.14
0.16
23
48
58
81
104
151
-167
0.28
0.25
0.24
0.21
0.20
0.18
0.13
V
CE =
2
V
,
I
C =
10 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.10
1.15
1.20
1.38
1.60
1.82
2.00
19.83
16.61
14.85
11.83
9.49
8.16
6.93
0.50
0.42
0.38
0.29
0.23
0.14
0.13
21
39
48
74
91
135
177
0.26
0.26
0.25
0.24
0.22
0.20
0.12
1.60
1.62
1.65
1.73
1.80
2.00
2.19
22.57
18.75
16.91
13.52
11.17
9.48
8.18
0.13
0.11
0.09
0.07
0.06
0.08
0.13
19
48
67
100
143
-161
-133
0.27
0.26
0.25
0.24
0.22
0.20
0.16
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PDF描述
NE6873939R SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68739R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE687M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68819 NONLINEAR MODEL
NE699M01 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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參數(shù)描述
NE687M03 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE687M03-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE687M03-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE687M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE687M13 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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