參數(shù)資料
型號(hào)： NE68130-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/20頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商： NE68130-T1
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
NE68133
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
FREQUENCY
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA)
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(MHz)
100
200
500
1000
1500
2000
3000
MAG
0.802
0.639
0.344
0.170
0.115
0.098
0.137
ANG
-27.1
-49.2
-83.3
-113.4
-144.1
-176.3
137.6
MAG
17.578
14.213
7.671
4.126
2.870
2.254
1.669
ANG
153.8
134.2
105.5
86.7
75.3
66.2
53.2
MAG
0.023
0.039
0.065
0.109
0.160
0.212
0.313
ANG
68.7
69.8
67.8
73.5
74.8
74.7
73.2
MAG
0.918
0.783
0.579
0.491
0.454
0.438
0.409
ANG
-12.7
-19.9
-21.5
-17.7
-17.8
-16.9
-21.0
(dB)
28.8
25.6
20.7
15.2
11.2
9.0
7.3
0.37
0.46
0.81
1.01
1.05
1.04
0.99
100
200
500
1000
1500
2000
3000
0.744
0.553
0.277
0.134
0.092
0.079
0.122
-31.7
-54.5
-87.1
-115.8
-146.2
180.0
134.2
21.212
16.031
8.093
4.284
2.981
2.350
1.736
148.4
127.9
102.0
85.3
75.2
66.5
53.9
0.017
0.037
0.061
0.109
0.165
0.217
0.320
57.9
69.0
72.6
76.3
75.9
75.2
73.7
0.896
0.737
0.540
0.461
0.430
0.413
0.380
-14.6
-21.7
-20.9
-17.0
-16.5
-16.8
-21.3
0.50
0.54
0.88
1.04
1.04
1.03
0.99
31.0
26.4
21.2
14.7
11.3
9.3
7.3
V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA
100
200
500
1000
1500
2000
3000
0.594
0.389
0.175
0.089
0.064
0.070
0.120
-43.3
-66.3
-95.5
-127.5
-160.8
167.0
132.5
29.285
19.280
8.683
4.512
3.078
2.406
1.774
138.1
117.5
96.1
82.3
73.3
64.9
53.1
0.013
0.035
0.057
0.110
0.167
0.221
0.322
61.2
73.1
74.0
79.6
78.9
74.9
72.4
0.792
0.614
0.481
0.440
0.416
0.404
0.379
-19.4
-22.6
-16.5
-13.2
-13.9
-13.8
-19.4
0.57
0.69
0.98
1.03
1.04
1.02
0.98
33.5
27.4
21.8
15.1
11.4
9.5
7.4
V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA
100
200
500
1000
1500
2000
3000
0.557
0.354
0.158
0.080
0.065
0.076
0.127
-46.9
-70.7
-100.5
-136.1
-175.0
156.0
128.4
30.197
19.196
8.499
4.363
3.009
2.348
1.742
135.2
115.1
94.8
81.7
72.7
65.0
53.0
0.017
0.029
0.059
0.111
0.167
0.219
0.325
65.9
73.4
77.7
80.7
80.1
77.1
74.2
0.836
0.664
0.503
0.455
0.428
0.415
0.387
-17.4
-22.2
-17.7
-14.3
-14.2
-14.2
-19.7
0.50
0.67
0.95
1.03
1.03
1.03
0.98
32.5
28.2
21.6
14.9
11.5
9.2
7.3
V
CE
= 8 V, I
C
= 30 mA
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Note:
1. Gain Calculations:
NE681 SERIES
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
j250
j150
j100
j50
-j50
-j25
j25
j10
-j10
0
0
-j100
-j150
-j250
10
500
250
150
100
50
25
10
S
11
2 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
0.1 GHz
S
22
2 GHz
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
25
20
.15
.10
.05
S
21
2 GHz
S
21
0.1 GHz
S
21
20
15
10
25
S
12
2 GHz
S
12
0.1 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68133-T1B NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68135 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE681M23 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68130-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68132 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | TO-236
NE68133 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE68133-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68133-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68133-T1B 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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