參數(shù)資料
型號(hào)： NE68130-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/20頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商： NE68130-T1
NE681 SERIES
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.21
12.45
0.75
47
1.15
800
1.69
7.72
0.74
72
0.97
1000
1500
1.95
2.52
5.96
3.12
0.68
0.63
88
122
0.71
0.34
NE68133
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
500
.92
14.52
0.68
47
0.42
800
1000
1500
2000
1.20
1.35
1.71
2.00
10.57
9.29
6.53
5.53
0.63
0.57
0.50
0.44
70
87
120
168
0.34
0.30
0.17
0.11
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
0.86
16.37
0.54
47
0.24
800
1000
1500
2000
1.00
1.08
1.25
1.40
12.41
11.07
8.61
6.99
0.51
0.46
0.36
0.35
67
86
128
172
0.20
0.18
0.12
0.10
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.20
14.10
0.78
47
1.28
800
1000
1.45
1.67
8.42
8.37
0.75
0.68
72
95
0.84
0.56
NE68139
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA
500
0.90
15.71
0.63
44
0.43
800
1000
1500
2000
1.10
1.26
1.70
2.20
12.30
11.66
8.85
7.12
0.56
0.53
0.49
0.57
72
98
145
178
0.26
0.20
0.12
0.07
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
500
1000
1500
2000
3000
4000
1.15
1.25
1.4
1.6
2.15
3.0
20.50
15.62
12.49
10.48
8.00
6.81
0.26
0.16
0.20
0.31
0.53
0.71
42
133
176
-165
-123
-101
0.17
0.14
0.09
0.14
0.48
0.90
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
0.88
18.20
0.45
44
0.25
800
1000
1500
2000
1.00
1.08
1.30
1.80
14.62
13.29
10.54
8.60
0.39
0.37
0.35
0.43
73
99
151
-177
0.19
0.16
0.09
0.07
V
CE
= 8 V
f = 2 GHz
f = 3 GHz
f = 4 GHz
12
10
8
6
4
2
0
1 2 3 5 7 10 20 30 50
I
2
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
NE68100 & NE68135
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Frequency, f (GHz)
V
CE
= 8 V
I
C
= 20 mA
NE68133
|S
21E
|
2
MAG
NE68100
NE68135
|S
21E
|
2
MAG
30
25
20
15
10
5
0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
FORWARD INSERTION GAIN
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN
vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68133-T1B NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68135 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE681M23 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68130-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68132 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | TO-236
NE68133 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE68133-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68133-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68133-T1B 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*