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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE68018-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | NE68018-T1 |
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NE680 SERIES
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
100
400
800
1000
1500
2000
2500
3000
.884
.729
.507
.430
.312
.259
.231
.223
-12.9
-52.2
-90.1
-105.8
-138.0
-167.5
164.8
139.5
9.246
7.715
5.509
4.722
3.398
2.645
2.189
1.876
166.6
132.3
101.2
89.8
66.8
48.2
31.5
16.9
.018
.056
.073
.087
.110
.120
.137
.165
77.7
58.5
41.2
38.3
35.6
27.1
23.2
18.5
.964
.864
.704
.657
.591
.561
.544
.539
-8.5
-27.8
-43.7
-48.3
-58.8
-69.0
-78.5
-87.7
0.19
0.34
0.63
0.71
0.88
1.07
1.15
1.13
27.1
21.4
18.8
17.3
14.9
11.8
9.7
8.4
100
400
800
1000
1500
2000
2500
3000
.972
.907
.778
.706
.561
.457
.389
.356
-9.4
-34.2
-65.1
-78.9
-111.0
-139.5
-166.6
167.0
3.605
3.315
2.897
2.678
2.173
1.800
1.545
1.358
170.2
146.5
118.1
105.8
78.7
56.6
37.3
20.7
.017
.061
.104
.114
.135
.147
.145
.150
81.6
65.5
45.6
38.1
21.4
11.8
4.8
2.4
.995
.966
.874
.841
.755
.712
.668
.651
-3.5
-20.2
-37.5
-44.3
-58.4
-70.4
-80.5
-90.6
NE68018
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA
FREQUENCY
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
0.12
0.19
0.35
0.42
0.65
0.82
1.08
1.20
23.3
17.4
14.4
13.7
12.1
10.9
8.5
6.9
100
400
800
1000
1500
2000
2500
3000
.838
.610
.381
.314
.223
.188
.185
.173
-17.7
-61.4
-99.4
-114.8
-149.1
-178.0
153.8
129.0
13.662
10.216
6.605
5.516
3.855
2.963
2.417
2.063
163.3
124.3
94.4
83.9
63.0
45.9
30.3
16.4
.012
.037
.063
.067
.092
.112
.130
.155
80.3
61.1
48.9
47.8
43.1
34.0
33.0
23.5
.965
.819
.661
.630
.587
.569
.567
.563
-9.5
-28.3
-40.1
-43.7
-54.1
-63.6
-72.1
-82.5
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
0.13
0.42
0.73
0.85
0.97
1.07
1.10
1.10
30.6
24.4
20.2
19.2
16.2
12.6
10.8
9.3
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
3
2
1
S
22
0.1 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
3 GHz
S
11
3 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
2.5
0.1
0.2
S
12
0.1 GHz
S
21
3 GHz
S
21
0.1 GHz
S
12
3 GHz
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68018-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-T1 | 功能描述:TRANS NPN 2GHZ SMD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| NE68019-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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