- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361113 > NE68018-T1 (NEC Corp.) NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | NE68018-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | NE68018-T1 |
NE680 SERIES
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
V
CE
= 6 V
f = 4 GHz
f = 2 GHz
5
4
3
2
1
0
1 2 3 5 7 10 20
Collector Current, I
C
(mA)
V
CE
= 6 V
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1 2 3 5 7 10 20 30 50
V
CE
= 6 V
f = 2 GHz
1 2 3 5 7 10 20
5
4
3
2
1
0
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
N
N
G
T
NE68035
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
NE68033
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR
CURRENT
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
NE68033
NE68035
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50
C
O
COLLECTOR TO BASE CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CE
= 6 V
10
7
5
3
2
1
1 2 3 5 7 10 20
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
FORWARD CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68033-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039R-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE68018-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-T1 | 功能描述:TRANS NPN 2GHZ SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| NE68019-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。