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參數(shù)資料
| 型號： | NE68018-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | NE68018-T1 |
NE68035
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
FREQUENCY
(MHz)
100
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
V
CE
= 6 V, I
C
= 10 mA
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
31.4
24.6
21.4
19.3
17.6
14.9
13.1
11.8
11.0
10.3
9.9
MAG
.869
.682
.518
.440
.414
.400
.392
.385
.382
.376
.372
ANG
-13.4
-69.0
-111.7
-137.9
-156.8
-171.6
175.7
164.5
155.2
146.2
137.8
MAG
12.862
9.959
6.550
4.709
3.658
3.004
2.527
2.182
1.973
1.733
1.575
ANG
167.5
128.3
100.6
83.9
70.8
59.6
49.3
39.8
30.9
22.3
14.0
MAG
.009
.034
.047
.056
.064
.073
.083
.093
.103
.114
.126
ANG
83.8
55.9
45.2
43.5
43.2
43.2
42.8
41.9
40.4
38.9
37.0
MAG
.989
.834
.706
.658
.642
.637
.639
.646
.654
.664
.675
ANG
-5.8
-22.2
-30.0
-35.4
-41.5
-48.0
-55.0
-62.2
-69.4
-76.7
-83.7
0.07
0.36
0.64
0.85
0.98
1.04
1.08
1.10
1.08
1.07
1.03
100
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
.766
.534
.434
.401
.397
.394
.396
.393
.394
.392
.391
-23.2
-96.2
-138.0
-160.0
-174.9
173.1
162.7
153.2
145.2
137.3
129.4
20.629
12.610
7.284
5.035
3.852
3.133
2.626
2.261
2.000
1.785
1.619
162.3
115.8
91.5
77.3
65.7
55.4
45.8
36.7
28.2
19.8
11.7
.008
.027
.037
.046
.057
.068
.079
.091
.103
.115
.128
75.9
53.3
50.8
52.5
53.2
52.7
51.7
50.0
47.6
45.3
42.8
.972
.746
.649
.625
.619
.622
.627
.637
.648
.660
.672
-8.0
-22.7
-27.2
-32.3
-38.6
-45.5
-52.7
-60.1
-67.5
-75.0
-82.1
0.16
0.52
0.84
1.02
1.07
1.09
1.09
1.07
1.04
1.01
0.97
33.9
26.8
23.0
19.6
16.6
14.8
13.4
12.3
11.7
11.3
11.0
100
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
.593
.463
.443
.436
.443
.448
.453
.454
.459
.460
.461
-45.9
-132.6
-163.8
-178.8
170.3
160.8
152.3
144.1
136.7
129.2
121.6
25.683
11.309
6.056
4.124
3.140
2.547
2.132
1.832
1.618
1.441
1.304
152.5
103.7
83.9
71.6
60.8
50.9
41.5
32.5
24.0
15.7
7.7
.008
.019
.029
.039
.051
.062
.074
.087
.099
.112
.127
73.6
54.1
58.6
61.6
62.0
61.3
60.0
58.0
55.4
52.9
50.2
.933
.713
.672
.664
.665
.670
.677
.687
.697
.708
.718
-9.6
-18.0
-22.6
-29.1
-36.5
-44.1
-52.0
-59.9
-67.8
-75.7
-83.1
0.20
0.80
1.09
1.21
1.20
1.18
1.13
1.09
1.03
0.98
0.92
35.3
27.7
21.4
17.5
15.2
13.6
12.4
11.4
11.1
11.1
10.1
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 6 V, I
C
= 20 mA
NE680 SERIES
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
3
2
1
S
22
0.1 GHz
S
11
0.1 GHz
S
11
5 GHz
S
22
5 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
10
5
.05
.10
S
12
0.1 GHz
S
21
0.1 GHz
S
21
5 GHz
S
12
5 GHz
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68033-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039R-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68018-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68019-T1 | 功能描述:TRANS NPN 2GHZ SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| NE68019-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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