參數(shù)資料
型號(hào)： NE677M04
廠(chǎng)商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍中功率NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE677M04
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. Mounted on a 1.08cm
2
x 1.0 mm thick glass epoxy PCB.
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
2
UNITS
V
V
V
mA
mW
RATINGS
9.0
6.0
2.0
50
205
T
J
Junction Temperature
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
PART NUMBER
NE677M04-T2
QUANTITY
3k pcs./reel
ORDERING INFORMATION
NE677M04
SYMBOLS
R
th j-a
PARAMETERS
Thermal Resistance from
Junction to Ambient
UNITS
°
C/W
RATINGS
600
THERMAL RESISTANCE
Note:
1. Mounted on a 1.08cm
2
x 1.0 mm thick glass epoxy PCB.
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
T
o
Ambient Temperature T
A
(oC)
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
D
F
)
Collector Current I
C
(mA)
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
x 1.0 mm (t) )
0.5
f = 1MH
z
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
B
: 50
μ
A step
500
μ
A
400
μ
A
300
μ
A
200
μ
A
100
μ
A
500
μ
A
I
B
μ
A
000
100
010
0.1
1
10
100
V
CE
= 3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE677M04-T2 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68035 NONLINEAR MODEL
NE68119 NONLINEAR MODEL
NE681 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68100 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE677M04-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE677M04-T2 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE677M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE678M04 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE678M04-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*