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參數(shù)資料
| 型號： | NE5517D |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 標準包裝： | 48 |
| 放大器類型： | 跨導 |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸出類型： | 推挽式 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 50 V/µs |
| 增益帶寬積： | 2MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 400nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 400µV |
| 電流 - 電源： | 2.6mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 650µA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 16-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
7
APPLICATIONS
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
5, 12
1, 16
+15V
15V
7, 10
8, 9
INPUT
OUTPUT
390pF
15V
51W
0.01mF
0.001mF
0.01mF
Figure 20. Unity Gain Follower
10kW
1.3kW
10kW
62kW
5kW
CIRCUIT DESCRIPTION
The circuit schematic diagram of one-half of the
AU5517/NE5517, a dual operational transconductance
amplifier with linearizing diodes and impedance buffers, is
shown in Figure 21.
Transconductance Amplifier
The transistor pair, Q4 and Q5, forms a transconductance
stage. The ratio of their collector currents (I4 and I5,
respectively) is defined by the differential input voltage, VIN,
which is shown in Equation 1.
VIN +
KT
q In
I5
I4
(eq. 1)
Where VIN is the difference of the two input voltages
KT
26 mV at room temperature (300°k).
Transistors Q1, Q2 and diode D1 form a current mirror which
focuses the sum of current I4 and I5 to be equal to amplifier bias
current IB:
I4 ) I5 + IB
(eq. 2)
If VIN is small, the ratio of I5 and I4 will approach unity and
the Taylor series of In function can be approximated as
KT
q In
I5
I4
[ KT
q
I5 * I4
I4
(eq. 3)
and I4 ^ I5 ^ IB
KT
q In
I5
I4
[ KT
q
I5 * I4
1 2IB
+ 2KT
q
I5 * I4
IB
+ VIN (eq. 4)
I5 * I4 + VIN
IB
q
2KT
The remaining transistors (Q6 to Q11) and diodes (D4 to D6)
form three current mirrors that produce an output current equal
to I5 minus I4. Thus:
VIN IB
q
2KT +
IO
(eq. 5)
The term
IB
q
2KT
is then the transconductance of the amplifier
and is proportional to IB.
Figure 21. Circuit Diagram of NE5517
V+
11
D4
Q6
Q7
2,15
D2
Q4
Q5
D3
INPUT
4,13
+INPUT
3,14
AMP BIAS
INPUT
1,16
Q2
Q1
D1
V
6
Q10
D6
Q11
VOUTPUT
5,12
Q9
Q8
D5
Q14
Q15
Q16
R1
D7
D8
Q3
7,10
Q12
Q13
8,9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS168X-CB1DG040 | CIRCUIT BRKR THERMAL 4.0A 1POLE |
| 0459848382 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 2.36MM |
| NE5517AN | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| AS168X-CB1DG005 | CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE |
| 0459848381 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 3.18MM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE5517DG | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517DR2 | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517DR2G | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
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