參數(shù)資料
型號： NE5517D
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 48
放大器類型： 跨導(dǎo)
電路數(shù)： 2
輸出類型： 推挽式
轉(zhuǎn)換速率： 50 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 400nA
電壓 - 輸入偏移： 400µV
電流 - 電源： 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道： 650µA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 管件
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
5
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
VOUT
VCMR
VOUT
μ
10
1
PEAK
OUTPUT
CURRENT
(
A)
0.1mA1mA10mA
100mA 1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
+125°C
4
3
2
+25°C
-55°C
10
4
3
2
5
-50°C -25°C0°C25°C50°C75°C100°C125°C
0V
(+)VIN = ()VIN = VOUT = 36V
LEAKAGE
CURRENT
(pA)
AMBIENT TEMPERATURE (TA)
μ
10
TRANSCONDUCT
ANCE
(gM)
—
(
ohm)
4
3
2
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
+125°C
+25°C
-55°C
5
gM
mq
m
M
PINS 2, 15
OPEN
10
1
0.1
0.01
INPUT
RESIST
ANCE
(MEG
)
1
2
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
PINS 2, 15
OPEN
10
1
INPUT
LEAKAGE
CURRENT
(pA)
3
2
4
INPUT DIFFERENTIAL VOLTAGE
+125°C
+25°C
0
1
23
45
6
7
5
INPUT
OFFSET
VOL
TAGE
(mV)
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 3. Input Offset Voltage
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
+125°C
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
5
PEAK
OUTPUT
VOL
TAGE
AND
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Tamb = 25°C
VCMR
RLOAD = ∞
COMMON-MODE
RANGE
(V)
10
1
0.1
INPUT
OFFSET
CURRENT
(nA)
2
3
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 4. Input Bias Current
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
10
1
INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
3
4
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 5. Input Bias Current
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
2
Figure 6. Peak Output Current
Figure 7. Peak Output Voltage and
Common-Mode Range
Figure 8. Leakage Current
Figure 9. Input Leakage
Figure 10. Transconductance
Figure 11. Input Resistance
Ω
VS = ±15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS168X-CB1DG040 CIRCUIT BRKR THERMAL 4.0A 1POLE
0459848382 CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 2.36MM
NE5517AN IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
AS168X-CB1DG005 CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE
0459848381 CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 3.18MM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5517DG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517DR2 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517DR2G 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517D-T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
NE5517N 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
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