型號: | NE5517D |
廠商: | ON Semiconductor |
文件頁數(shù): | 1/15頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 48 |
放大器類型: | 跨導(dǎo) |
電路數(shù): | 2 |
輸出類型: | 推挽式 |
轉(zhuǎn)換速率: | 50 V/µs |
增益帶寬積: | 2MHz |
電流 - 輸入偏壓: | 400nA |
電壓 - 輸入偏移: | 400µV |
電流 - 電源: | 2.6mA |
電流 - 輸出 / 通道: | 650µA |
電壓 - 電源,單路/雙路(±): | 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V |
工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 16-SOIC |
包裝: | 管件 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
AS168X-CB1DG040 | CIRCUIT BRKR THERMAL 4.0A 1POLE |
0459848382 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 2.36MM |
NE5517AN | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
AS168X-CB1DG005 | CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE |
0459848381 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 3.18MM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
NE5517DG | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517DR2 | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517DR2G | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
NE5517N | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |