參數(shù)資料
型號： NE429M01
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 50K
代理商： NE429M01
Data Sheet P12254EJ3V0DS00
4
NE429M01
Gain Calculations
MSG. =
K =
MAG. = S
±
√
K
S
12
2
1)
= S
11
S
22
S
21
S
12
Frequency f (GHz)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
30
2
N
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
4
20
6
8 10
14
20
16
12
8
4
0
A
a
(
G
a
NF
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
1 +
2
S
11
2
S
12
S
21
2
S
22
2
S
21
S
12
21
相關PDF資料
PDF描述
NE429M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結型場效應管)
NE461M02 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE429M01-T1 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE434S01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01_98 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
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