參數(shù)資料
型號： NE32584C
廠商： NEC Corp.
英文描述： Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結型場效應管)
中文描述： 超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管（超低噪聲放大器?溝道結型場效應管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： NE32584C
2
NE32584C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
GSO
0.5
10
P
A
V
GS
=
e
3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
20
60
90
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
e
0.2
e
0.7
e
2.0
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
P
A
Transconductance
g
m
45
60
mS
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Noise Figure
NF
0.45
0.55
dB
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA, f = 12 GHz
Associated Gain
G
a
11.0
12.5
dB
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
o
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
100
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
80
60
40
20
0
1.5
3.0
60
40
20
0
–2.0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
V
DS
= 2 V
I
D
–1.0
0
24
20
16
12
8
0
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
f - Frequency - GHz
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
M
M
|
2
|
2
|S
21s
|
2
MAG.
MSG.
30
20
14
10
8
6
3
2
1
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