參數(shù)資料
型號(hào)： NE3210S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（低噪聲?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大小： 62K
代理商： NE3210S01
Data Sheet P14067EJ2V0DS00
3
NE3210S01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
T
t
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
100
80
60
40
20
0
2.0
1.0
D
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Frequency f (GHz)
M
M
F
2
|
2
V
DS
= 2 V
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
24
20
16
12
8
4
1
30
2
4
20
6
8 10
14
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MSG.
MAG.
|S
21S
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE3210S01-T1 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE3210S01-T1B X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE32500 Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NE32584C-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32584C Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE3210S01-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE3210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
NE3210S01-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
NE3210S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE3210S01-T1B-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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