參數(shù)資料
型號： NE25118
廠商： NEC Corp.
英文描述： GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
中文描述： 一般用途的雙柵GaAs MESFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE25118
NE25118
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE 18
(SOT-343)
PART
NUMBER
AVAILABILITY
NE25118
NE25118-T1
Bulk up to 3K
3K/Reel
ORDERING INFORMATION
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
PIN
CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Gate 2
4. Gate 1
Note: All dimensions are typical unless otherwise specified.
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -8/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE25118-T1 GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
NE25137 GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET
NE25139 GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
NE25139-T1 GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
NE25139T1U71 GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE25118-T1 功能描述:MOSFET DISC BY CEL 10/00 SOT-343 DL GT MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE25118-T1-U73 功能描述:射頻GaAs晶體管 Dual Gate MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE25118-U73 功能描述:射頻GaAs晶體管 Dual Gate MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE25137 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET
NE25139 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET
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