參數(shù)資料
型號： NDT410EL(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 2.1AI（四）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： NDT410EL(J23Z)
NDT410EL Rev. B1
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
6.0
5.0
4.0 3.5
2.5
V = 10V
3.0
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
1
1.5
2
2.5
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 5V
I = 2.1A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
t
V = V
I = 250
μ
A
GS
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
3.5
6.0
10
5.0
4.0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = 5V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
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PDF描述
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NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
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