參數(shù)資料
型號： NDS9400
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 單P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 329K
代理商： NDS9400
NDS9400A.SAM
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
D
I = -250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
J
25°C
-55°C
V = 0V
S
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
-
G
I = -3.4A
V = -10V
-20V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
300
500
800
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
1
2
3
4
5
6
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
125°C
V = -15V
F
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NDS9407 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9410S Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDS9405_D84Z 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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