參數(shù)資料
型號： NDS8947
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2 CHANNEL, Si, POWER, FET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 331K
代理商： NDS8947
NDS8947.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.8
1.2
1.6
2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -4.0A
V = -5V
-10V
-20V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
100
200
300
500
1000
2000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
3
6
9
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = -10V
125°C
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
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PDF描述
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