參數(shù)資料
型號(hào)： NDS8435A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 7900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 329K
代理商： NDS8435A
NDS8435A Rev.C
1
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-30
-24
-18
-12
-6
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-6.0
V =-10V
-4.5
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V =-3.5V
R
D
-5.0
-4.5
-4.0
-10
-7.0
-6.0
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -10V
I = -7.9A
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
0.5
1
1.5
2
ID
D
R
D
V = -10V
J
25°C
-55°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-25
-20
-15
-10
-5
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -10V
DS
D
TJ
125°C
25°C
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I =-250μA
V = V
GS
Figure 5. Transfer Charateristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS8435 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8839H Complementary MOSFET Half Bridge
NDS8852H Complementary MOSFET Half Bridge
NDS8858H Complementry MOSFET Half Bridge
NDS8926 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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