參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6051
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 50 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： NDP6051
NDP6051 Rev. C1
0
10
20
30
40
0
6
12
18
24
30
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V =10V
DS
125°C
1
2
3
5
10
20
30
50
70
0.5
1
2
5
10
20
50
100
300
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
100ms
DC
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 1.5 C/W
T = 25°C
JC
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
t ,TIME (m s)
5
10
20
50
100
200
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 1.5 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP605A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP6051L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605BEL 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP6060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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