參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6051
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 50 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 67K
代理商： NDP6051
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
48
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
144
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 24 A
(Note 1)
0.9
1.3
V
T
J
= 125°C
0.8
1.2
t
rr
Reverse Recovery Time
V
GS
= 0 V, I
= 48 A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
35
140
ns
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Current
2
8
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.5
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP6051 Rev. C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP605A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP6051L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605BEL 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP6060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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